存储巨【头, 盯】上。E、UV

美光上个月出货了第六代DRAM原型，成为内存半导体行业中首家实现此举的企业，同时美光的DRAM设计和制造工艺与三星电子和SK海力士显示出明显差异。

这预计将成为决定三家公司即将到来的大规模生产竞争中成败的关键因素。

就美光而言，公司计划尽量减少使用极紫外（EUV）光刻系统等先进设备，并最大限度地利用现有成熟的氟化氩浸没式（ArFi）光刻设备工艺，以加快大规模生产。

三星电子则率先将EUV设备引入存储半导体生产流程，自2020年起便在其DRAM生产过程中使用EUV技术。

对于10纳米第三代（1z）DRAM，EUV工艺仅应用于一层，此后使用EUV的层数持续增加。对于下一代D1c DRAM，将应用超过五层 EUV工艺。

SK海力士也从2021年开始将EUV设备引入DRAM生产，但其速度和适用范围比三星电子更为谨慎。

SK海力士从10纳米第四代（D1a）DRAM开始应用EUV，据报道，该产品仅应用了一层EUV工艺。对于下一代D1c DRAM，SK海力士预计将使用超过五层EUV工艺，与三星电子类似。

迄今为止，美光一直在不依赖EUV的情况下推进先进DRAM生产。在上个月出货的10纳米第6代DRA 中，美光也采取了保守策略，仅在一层上采用了EUV工艺。

然而，业界认为，美光在生产过程中大量依赖的ArFi光刻设备，由于相比使用更先进的EUV增加了工艺步骤，不可避免地导致良率降低。

与此同时，三星电子作为三大存储半导体公司中拥有最多EUV设备（超过30台）的企业，据传正着手对EUV工艺进行大规模微调，以从10纳米第四代和第五代DRAM的失败中恢复。

该公司已投入大量精力研发新型抗蚀材料、强光源和先进掩模版，内部评估显示在吞吐量和工艺效率方面取得了进展。

（内容来源：证券时报）